| |
Ждан, А. Г.
Определение по кинетике тока поверхностной генерации неосновных носителей заряда генерационно-рекомбинационных характеристик гетерограницы полупроводник/диэлектрик [Текст] / А. Г. Ждан, Г. В. Чучева
// Приборы и техника эксперимента. – 2003. – № 3. – 116-119.
Выяснены условия, при которых ток поверхностной генерации неосновных носителей заряда (н.н.з.), протекающий во внешней цепи структуры металл-окисел-полупроводник, находящейся в состоянии сильного неравновесного обеднения, однозначно характеризует темп генерации и скорость поверхностной рекомбинации н.н.з. |
