|
Айвазян, Г. Е. Эффективность геттерирования структурных деффектов полупроводниковых пластин слоем пористого кремния [Текст] / Г. Е. Айвазян, А. М. Скворцов // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2002. – 45, № 7. – 63-65.
Продемонстрирована возможность эффективного геттерирования структурных дефектов и быстродиффундирующих примесных атомов слоями пористого кремния при высокотемпературном отжиге полупроводниковых пластин |