Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Айвазян, Г. Е.
    Эффективность геттерирования структурных деффектов полупроводниковых пластин слоем пористого кремния [Текст] / Г. Е. Айвазян, А. М. Скворцов
    // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2002. – 45, № 7. – 63-65.

   Продемонстрирована возможность эффективного геттерирования структурных дефектов и быстродиффундирующих примесных атомов слоями пористого кремния при высокотемпературном отжиге полупроводниковых пластин

  УДК 621.382.333


            




Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'