| |
Влияние температуры облучения на зарядовое состояние близких пар Френкеля в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, З. В. Башелейшвили, В. С. Гарник [et al.]
// Український фізичний журнал. – 2003. – 48, № 6. – 576-579.
Исследовано влияние температуры облучения на зарядовое состояние близких пар Френкеля в кристаллах n-Si в интервале температур 80-300 градусов Цельсия |
