| |
Изменение времени жизни неосновных носителей тока в процессах облучения и изохронного отжига в кристаллах p-Si [Текст] / Т. А. Пагава, З. В. Башелейшвили, Э. Р. Крутелия, Н. И. Майсурадзе
// Український фізичний журнал. – 2003. – 48, № 5. – 435-437.
Изучено изменение времени жизни неосновных носителей тока и удельного сопротивления в кристаллах p-Si в процессах облучения электронами с энергией 8 МэВ и изохронного отжига |
