|
Круковский, С. И. Комплексное легирование слоев CaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии [Текст] / С. И. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2002. – № 6. – 30-32.
Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In |