| |
Когерентное электронно-дырочное состояние и фемтосекундное кооперативное излучение в обьемном GaAs [Текст] / П. П. Васильев, Х. Кан, Х. Ота, Т. Хирума
// Квантовая электроника. – 2002. – 32, № 12. – С. 1105-1112.
Обсуждаются условия получения коллективного когерентного электронно-дырочного состояния в полупроводниках. |
