| |
Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточноого мышьяка на структуру и свойства слоев [Текст] / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 8. – 3-20.
В статье дан обзор работ, авторы которых изучали возможность управления свойствами эпитаксиального GaAs за счет введения избыточного мышьяка в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах |
