| |
Исследование поверхностных процессов при газофазовой эпитаксии GaAs; ассиметричный захват атомов в ступень [Текст] / И. В. Ивонин, Л. М. Красильникова, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 5. – 58-62.
Представлены экспериментальные доказательства асимметричного захвата атомов в ступени роста при газофазовой эпитаксии арсенида галлия в системе GaAs-AsCl3-H2 |
