|
Булавенко, С. Ю. Дослідження поверхні Si(111)7 7 поблизу кутових ям за допомогою скануючого тунельного мікроскопа з різними вістрями [Текст] / С. Ю. Булавенко, П. В. Мельник, М. Г. Находкін // Український фізичний журнал. – 2002. – 47, № 7. – 690-693.
За допомогою скануючого тунельного мікроскопа (СТМ) із звичайними W- та спеціальними Bi/W-вістрями вивчено зміни щільності електронних станів атомів поверхні Si(111)7 7 при адсорбції водню в кутові ями |