| |
Влияние ориентации подложки на захват кремния в А-И В-подрешетки арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Ивонин [и др.]
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2002. – № 4. – С. 82-85.
В работе с помощью электрофизических и фотолюминесцентных методов приведены исследования влияния кристаллогрофической ориентации поверхности роста вблизи сингулярных граней (100) и (111)А GaAs на захват кремния в А- и В-подрешетки арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии. |
