| |
150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами [Текст] / А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева [и др.]
// Квантовая электроника. – 2001. – 31, № 8. – С. 659-660.
Получены лазерные линейки на длине волны 808 нм с рекордно высокими излучательными параметрами. |
