| |
Круковський, С.
Особливості кристалізації низкотемпературного АРСЕНІДУ ГАЛІЮ за змінних швидкостей охолодження (англ.м.) [Текст] / С. Круковський, В. Аріков
// Computational Problems of Electrical Engineering. – 2024. – Vol. 14, № 2. – C. 11-15.
Виконано розрахунок параметрів епітаксійних шарів GaAs, отриманих методом низькотемпературної РФЕ у температурному діапазоні 600–500 °С за змінних швидкостей охолодження і різних значень переохолодження (5 °С, 10 °С і 15 °С) розчину-розплаву галію. |
