У статті представлені результати дослідження особливостей формування високоомного низькотемпературного арсеніду галію методом рідкофазної епітаксії (РФЕ) під впливом комплексного легування галієвих розплавів рідкісноземельним елементом диспрозієм та алюмінієм.