| |
Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures = Діодні сенсори вологості на основі кремнієвих 1d нанорозмірних структур [Текст] / Ya. Linevych, V. Koval, M. Dusheіko, M. Lakyda
// Наука та інновації. – 2024. – Т. 20, № 3 (117). – P. 67-81. – DOI: https://doi.org/10.15407/scine20.03.067.
Процес синтезу сенсорів вологості має кілька етапів: хімічне очищення кремнієвих пластин, синтез кремнієвих нанониток за допомогою стандартного або модифікованого металостимульованого хімічного травлення, дифузія фосфору для створення p-n-переходу, фронтальна і тильна металізація. Поверхневу морфологію наноструктур вивчали методом скануючої електронної мікроскопії, дослідження вологочутливих характеристик здійснювали за допомогою сольових гігростатів.
Показано, що додавання одновимірних кремнієвих наноструктур до складу діодного сенсора вологи значно покращило його робочі характеристики |
