Наведено нову математичну модель розв'язання статичної симетричної крайової задачі для послабленого наскрізним отвором шару з покритими діафрагмою торцями. Розроблено та чисельно апробовано новий метод, який базується на системі трьох сингулярних інтегральних рівнянь. За результатом високоточного чисельного дослідження виявлено, що зі збільшенням товщини шару відносне окружне напруження зростає. У разі зменшення одного з радіусів еліптичного отвору також спостерігається зростання відносного окружного напруження. У роботі наведено відповідні графіки.