| |
Тензорезистори на основі ниткоподібних кристалів арсеніду галлію (анг. мов.) [Текст] / А. Дружинін, О. Кутраков, І. Островський [et al.]
// Infocommunication tecnologies and electronic engineering. – 2021. – Vol. 1, № 1. – С. 128-133.
Досліджено деформаційні властивості ниткоподібних і стрічкових кристалів GaAs р- та nтипів провідності із різною довжиною (0,3–7 мм) і діаметром (10–40 мкм) у широкому інтервалі температур. |
