| |
Чирчик, С. В.
Зменшення поверхневої рекомбінації в монокристалічному кремнії шляхом імпульсного лазерного осадження плівок з кремнієвими квантовими точками [Текст] / С. В. Чирчик
// Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка. – 2022. – Т. 65, № 3. – С. 167-174.
У роботі запропоновано спосіб пригнічення поверхневої рекомбінації c-Si шляхом модифікації його поверхні наночастинками. Нанокомпозити кремнію, що містять Si квантоворозмірні частинки в SiO2 матриці, характеризуються збільшеною шириною заборонених станів, при нанесенні на c-Si підкладку, вони формують гетероперехід nc-Si/c-Si, потенційний бар'єр якого сприяє збільшенню поверхневого часу життя носіїв заряду. Наведено експериментальні результати досліджень. Метод тестовано у виробничих умовах на технологічних пластинах кремнію. |
