| |
Підходи та вимоги до моделювання структури напівпровідникового шару сонячного елемента [Електронний ресурс] / І. Г. Кирисов, П. Ф. Буданов, Е. А. Хом'як, К. Ю. Бровко
// Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2022. – № 1. – С. 35-38. – DOI: https://doi.org/10.31649/1997-9266-2022-160-1-35-38.
Розглянуті та проаналізовані існуючі моделі сонячного елемента. Встановлено, що ці моделі досліджують: залежність нормованої щільності струму від напруги зі зміною товщини фотоелектричного перетворювача, фотоелектричні характеристики фотоелектричного перетворювача в залежності від температурного коефіцієнта та різних умов освітленості. В моделях показано, що з підвищенням температури знижується значення величини коефіцієнта корисної дії, струму, коефіцієнта заповнення вольт-амперної характеристики. |
