| |
Формування паразитних кристалів у процесі вирощування сплощених крупних синтетичних монокристалів алмазу типу Ib [Текст] / G. Guangjin, L. Shangsheng, H. Meihua [та ін.]
// Надтверді матеріали. – 2020. – № 6. – С. 46-56.
Досліджено вплив швидкості росту кристалів і компонентів каталізатора на формування дефекту у вигляді паразитного кристала під час росту протягом тривалого часу сплощеного крупного кристала алмазу типу Ib із системи NiMnCo–C за високих тиску і температури. Показано, що швидкість росту кристалів алмазу тісно пов'язана з генеруванням паразитних алмазних кристалів. Вплив складу каталізатора на формування паразитного кристала під час росту кристала алмазу було проаналізовано за допомогою дослідження мікроморфології й вмісту азоту в алмазі. |
