| |
Лебедь, О. М.
Фізичні механізми формування структури епітаксійних шарів монокристалів GaAs під час вирощування з рідкої фази [Електронний ресурс] / О. М. Лебедь
// Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2013. – № 2. – С. 1-4.
Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ. |
