|
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe [Текст] / З. Ф. Цибрий, Е. В. Андреева, М. В. Апатская [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2017. – № 6. – C. 8-13.
Разработаны топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). |