| |
Кругляк, Ю. А.
Физика нанотранзисторов:рассеяние электронов и модель прохождения MOSFET [Текст] / Ю. А. Кругляк
// Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2019. – Т. 17, № 2. – C. 225-254.
Подробно расмотрена качественная картина явлений рассеяния электронов в канале проводимости нанотранзисторов и сформулированы важнейшие результаты в виде сводки формул (18), в которой ключевым является понятие о коэффициенте прохождения Т(Е), связывающем среднюю длину свободного пробега назад с длиной каналапроводимости L. |
