Приведено основні принципи створення на базі вакуумного уні­версального поста ВУП-5(М) та подальшого використання плазмохімічного устаткування для осадження тонкоплівкових, у тому числі наношарових, матеріалів із парів зазвичай рідких прекурсорів. Метод можна класифікувати як осадження в газовому середовищі, активоване радіочастотною плазмою Е-типу в системах з безперервним потоком (метод відкритої труби). Устаткування універсальне до вибору прекурсору та має достатній набір технологічних параметрів, що дає можливість осаджувати широкий спектр покриттів з контрольованою товщиною від 1 до 2000 нм.