| |
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO_3> [Текст] / В. В. Нетяга, В. Н. Водопьянов, В. И. Иванов [и др.]
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2018. – № 2. – C. 3-8.
На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO_3 синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO_3>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает способностью накапливать электрический заряд. |
