Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Модификация поверхности раздела SiO_2/Si при воздействии импульсно-периодического излучения волоконного лазера [Текст] / А. М. Скворцов, В. П. Вейко, К. Т. Хуинь [и др.]
    // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 6. – С. 503-508.

   Изучены особенности структурной модификации поверхности раздела кремний – окисел при воздействии импульсно-периодического лазерного излучения на длине волны 1.07 мкм. Установлено, что наличие слоя термически выращенного оксида на поверхности кремния оказывает существенное влияние на процесс дефектообразования и характер микроструктурирования поверхности благодаря особому сложнонапряженному механическому состоянию такой структуры.

  


            


Є складовою частиною документа Квантовая электроника [Текст] = Quantum Electronics. – 2017. – Т. 47, № 6.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'