|       | 
    Модификация поверхности раздела SiO_2/Si при воздействии импульсно-периодического излучения волоконного лазера [Текст] / А. М. Скворцов, В. П. Вейко, К. Т. Хуинь [и др.]     // Квантовая электроника. –  2017. –  Т. 47, № 6. –  С. 503-508.
    Изучены особенности структурной модификации поверхности раздела кремний – окисел при воздействии импульсно-периодического лазерного излучения на длине волны 1.07 мкм. Установлено, что наличие слоя термически выращенного оксида на поверхности кремния оказывает существенное влияние на процесс дефектообразования и характер микроструктурирования поверхности благодаря особому сложнонапряженному механическому состоянию такой структуры.   |