| |
Панышев, К. А.
Чувствительность к тиристорному эффекту КМОП-структуры с глубоким изолирующим n-карманом [Текст] / К. А. Панышев, Ю. А. Парменов
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 21, № 3. – С. 238-246.
Исследовано влияние внедренного в 90-нм объемную КМОП-структуру глубокого изолирующего n-кармана на устойчивость к тиристорному эффекту, вызванному воздействием тяжелых заряженных частиц. Рассмотрена целесообразность использования такой технологии при разработке конструкции ячейки памяти, которая обеспечивает исключение тиристорного защелкивания и имеет минимальную площадь. Проанализировано влияние глубокого n-кармана на минимальное расстояние от истока транзистора до контакта к карману, при котором защелка гарантированно образуется. |
