Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Кравченко, А. А.
    Исследование и разработка реактора эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек [Текст] / А. А. Кравченко, А. И. Погалов
    // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 21, № 3. – С. 211-219.

   Эпитаксиальные процессы на подложках большого диаметра характеризуются формированием дефектных периферийных зон вследствие пластической деформации. Формирование зон с пластическими деформациями зависит от распределения температурных напряжений и способа нагрева и укладки подложки в реакторе. Представлены математические модели расчета термомеханических напряжений подложки по ее радиусу и толщине. Исследовано влияние конструкции гнезда подложкодержателя и способа укладки подложки на ее устойчивость и жесткость. Рассмотрено влияние газодинамических характеристик технологического процесса на качество получаемых эпитаксиальных структур. Выполнено компьютерное моделирование газодинамических характеристик потока в эпитаксиальном реакторе. Исследованы три типа щелевого реактора: призматический, диффузорный, с удлиненным подложкодержателем.

  УДК 621.723.162


            


Є складовою частиною документа Известия высших учебных заведений. Электроника [Текст] : научно-технический журнал. – 2017. – Т. 21, № 3.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'