| |
Лапин, А. Е.
Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора [Текст] / А. Е. Лапин, Ю. А. Парменов
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 22, № 2. – С. 171-179.
Проведено моделирование квантового эффекта с помощью модели градиента плотности, которая включена в состав пакета Synopsys Sentaurus TCAD. Установлено, что сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора не зависит от толщины подзатворного диэлектрика. |
