Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) имеет значительные преимущества перед уже существующими типами памяти. Исследование динамики вектора намагниченности свободного слоя MRAM в приближении Стонера - Вольфарта сводится к анализу нелинейной динамической системы трех уравнений. Для упрощения нелинейной динамической системы трех уравнений изучено влияние вида функции токового члена Слончевского - Берже на динамику вектора намагниченности при переключении ячейки магниторезистивной памяти с произвольным доступом. С этой целью проведено разложение токового члена в ряд Тейлора в окрестности особых точек динамической системы. При этом в зависимости от числа учтенных членов разложения Тейлора получен набор динамических систем, которые изучались методами качественного анализа.