| |
Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения [Текст] / А. Ф. Попков, Н. Е. Кулагин, Г. Д. Демин, К. А. Звездин
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 22, № 2. – С. 109-119.
Использование спин-диодного эффекта, возникающего в магнитных туннельных переходах под действием токовой передачи вращательного момента, открывает перспективу значительного повышения микроволновой чувствительности по сравнению с полупроводниковыми диодами Шоттки в гигагерцовом диапазоне частот. Проведен теоретический анализ спин-диодного эффекта выпрямления микроволнового сигнала на магнитном туннельном переходе при резонансном возбуждении спиновых колебаний в незакрепленном магнитном слое в результате токовой передачи вращательного момента. |
