| |
Альфио, С.
Выбор полумостового резонансного LLC-преобразователя и MOSFET первичной стороны [Текст] / С. Альфио, Г. Антонио
// Электронные компоненты. – 2017. – № 3. – С. 34-36.
В статье рассматриваются характеристики резонансной LLC-топологии и, в частности, механизм возможных отказов MOSFET при функционировании системы. |
