| |
Карташёв, С. С.
Моделирование элемента памяти с учетом дискретного зарядового состояния плавающего затвора МОП-транзисторов [Текст] / С. С. Карташёв, В. В. Лосев
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 6. – С. 586-589.
Рассмотрены основные варианты моделирования транзисторов с плавающим затвором. Представлен новый метод моделирования транзистора с плавающим затвором, учитывающий дискретный спектр состояния заряда на плавающем затворе. |
