| |
Моноимпульсный Nd : YAG-лазер с поперечной диодной накачкой и инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля [Текст] / М. В. Богданович, В. П. Дураев, В. С. Калинов [и др.]
// Квантовая электроника. – 2016. – Т. 46, № 10. – С. 870-872.
Описан моноимпульсный Nd : YAG-лазер с мощной поперечной диодной накачкой и инжекцией затравочного излучения, генерируемого одночастотным полупроводниковым лазерным модулем. Пороговая мощность затравочного излучения инжектора, при которой моноимпульсный Nd : YAG-лазер переключается в режим одночастотной генерации, составляет 0.44 мВт. |
