Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Алябьев, А. Ю.
    Практические аспекты создания перспективных МДП структур с применением технологии атомно-слоевого осаждения [Текст] / А. Ю. Алябьев, А. С. Коротков
    // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 243-251.

   Рассмотрены физико-химические основы процесса атомно-слоевого осаждения, его технологические преимущества, возможные применения при решении проблем дальнейшей миниатюризации и повышения быстродействия полупроводниковых устройств.

  УДК 621.382.323


            


Є складовою частиною документа Микроэлектроника [Текст] / РАН. – 2016. – Т. 45, № 4.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'