|
Алябьев, А. Ю. Практические аспекты создания перспективных МДП структур с применением технологии атомно-слоевого осаждения [Текст] / А. Ю. Алябьев, А. С. Коротков // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 243-251.
Рассмотрены физико-химические основы процесса атомно-слоевого осаждения, его технологические преимущества, возможные применения при решении проблем дальнейшей миниатюризации и повышения быстродействия полупроводниковых устройств. |