| |
Ячейка энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных пленках Hf_xAl_1-xO_y [Текст] / О. М. Орлов, А. А. Чуприк, А. С. Батурин [и др.]
// Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 4. – С. 243-249.
Разработан прототип ячеек энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных пленках Hf_xAl_1-xO_y с переменным (по глубине) содержанием алюминия, выращенных методом атомно-слоевого осаждения. |
