| |
Субмиллиметровый диод на арсенид-галлиевой наноструктуре [Текст] / Н. М. Гончарук, Н. Ф. Карушкин, В. А. Ореховский, В. В. Малышко
// Радіофізика та електроніка. – 2014. – Т. 5(19), № 1. – С. 55-61.
Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. |
