|
Атомные механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной структуре Cu/Ni(001) [Текст] / О. С. Трушин, А. Н. Куприянов, С.-Ч. Инг [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 459-463.
Методом молекулярной статики, с использованием многочастичных потенциалов "погруженного атома" ЕАМ, исследованы механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной системе Cu/Ni(001). Рассмотрены процессы зарождения дефектов. |