Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмування енергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення пристрою (кристалізація, низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан). Також показано, що швидкість увімкнення (вимкнення) ЕНП переважно залежить від електричного контакту пристрою.