| |
Флэш память основанная на мультиграфене [Текст] / Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, Г. Я. Красников, О. М. Орлов
// Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 1. – С. 66-71.
Численно расчитывались характеристики записи/стирания и хранения заряда в элементе памяти основанного на структуре Si/HfO_2/мульграфен /SO_2/Si. Использование мультиграфена во ФЛЭШ элементах памяти дает возможность увеличить быстродействие и/или понизить напряжение перепрограммирования этих устройств. |
