Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Красюков, А. Ю.
    Исследование магнитотранзисторов с новой топологией [Текст] / А. Ю. Красюков, Р. Д. Тихонов, А. В. Козлов
    // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 2. – С. 120-133.

   С помощью приборно-технологического моделирования исследована чувствительность латерального магнитотранзистора с ортогональными потоками носителей заряда. Исследованные варианты топологии латеральных и планарных магнитотранзисторов дают возможность создания малого начального разбаланса напряжения измерительных коллекторов и повышения чувствительности.

  УДК 621.3.049.77.002


            


Є складовою частиною документа Микроэлектроника [Текст] / РАН. – 2015. – Т. 44, № 2.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'