| |
Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторов [Текст] / Д. М. Ермолаев, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин [и др.]
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 5. – С. 481-488.
Приведены результаты исследований терагерцовых детекторов с пространственной последовательно и параллельно соединенной транзисторной структурой на основе арсенид-галлиевой наногетероструктуры с асимметричным Т--образным затвором в каждом транзисторе. |
