| |
Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAIAS/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии [Текст] / М. В. Ловыгин, Н. И. Боргардт, А. С. Бугаев [и др.]
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 431-439.
Представлены результаты электронно-микроскопических исследований эпитаксиального слоя InAIAS на подложке GaAs(100). Установлено, что на границе раздела материалов присутствуют дислокации несоответствия, а в слое имеются остаточные деформации, искажающие решетку. |
