|
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p-i-n-структур методом ЖФЭ [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, В. Р. Тимчишин, А. П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 6. – С. 41-45.
Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p-i-n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. |