| |
Анализ средствами TCAD токов утечки 45-нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком [Текст] / К. О. Петросянц, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, И. А. Харитонов
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 1. – С. 38-43.
Приведено тестирование встроенных в Sentaurus TCAD моделей электрофизических эффектов. Выбраны модели, обеспечивающие адекватное описание глубокосубмикронных МОПТ-структур с high-k диэлектриком затвора. |
