| |
Согоян, А. В.
Модель формирования токов утечки диэлектриков МОП-структур при воздействии ТЗЧ [Текст] / А. В. Согоян, В. А. Полунин
// Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 1. – С. 65-70.
Деградация подзатворного диэлектрика МОП-структур является одним из основных факторов, определяющих долговечность работы современных КМОП СБИС. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что воздействие тяжелых заряженных частиц приводит к снижению характеристик надежности тонких (менее 10 нм) диэлектриков, возникновению токов утечки. В работе предложена модель формирования токов утечки диэлектрика, обусловленных воздействием тяжелых заряженных частиц. |
