| |
Оптимізація параметрів нового термоелектричного матеріалу HfNiSnSb [Текст] / В. А. Ромака, Р. Рогль, В. В. Ромака [та ін.]
// Термоелектрика. – 2014. – № 1. – C. 46-53.
Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні й концентраційні залежності питомого електроопору та коефіціента термоЕРС інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn, легованого домішкою Sb, у діапазоні Т= 80-400 К. |
