| |
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур [Текст] / А. А. Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, Р. Н. Корецкий
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2014. – № 5-6. – С. 46-50.
Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах "кремний-на-изоляторе" и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2 - 7 К. |
