| |
Исследование Tm:Sc_2SiO_5- лазера с накачкой на переходе ^3H_6-^3F_4 ионов Tm^3+ [Текст] / Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев [и др.]
// Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 11. – С. 989-993.
Кристаллы Tm:SSO оптического качества выращены методом Чохральского. В активном элементе, изготовленном из выращенного кристалла, получена лазерная генерация на длине волны 1.98 мкм при накачке излучением волоконного эрбиевого рамановского лазера с длиной волны 1.678 мкм. |
