| |
Определение концентрации двумерных электронов в [дельта]-легированных псевдоморфнных транзисторных структурах InGaAs/GaAs методом фотолюминесцентной спектроскопии [Текст] / Н. Г. Яременко, Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский [и др.]
// Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58, № 3. – С. 276-283.
Определены концентрации двумерных электронов n_s в модулированно- легированных PHEMT-структурах двумя фотолюминесцентными методами: по полуширине полосы 1e-1hh и по энергетической дистанции E_F-E_1e на экспериментальных фотолюминесцентных спектрах. |
