Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Семенов, А. В.
    Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si [Текст] / А. В. Семенов, А. А. Козловский, В. М. Пузиков
    // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 5. – С. 27-30.

   Исследован фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложкииз n-Si.

  УДК 535.215


            


Є складовою частиною документа Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технический журнал. – 2012. – № 5.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'